电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
1998年
5期
122-124
,共3页
掺硼金刚石薄膜%Si3N4基底%热敏电阻器性能%欧姆接触%温度响应
摻硼金剛石薄膜%Si3N4基底%熱敏電阻器性能%歐姆接觸%溫度響應
참붕금강석박막%Si3N4기저%열민전조기성능%구모접촉%온도향응
用微波等离子体CVD方法制作了掺硼金刚石薄膜热敏电阻器.该器件的结构由Si3N4基底和2μm厚的掺硼金刚石薄膜组成,并采用了经退火处理的钛/金双金属层制作欧姆接触.结果在室温到600℃范围内获得了欧姆接触、温度响应以及电阻温度系数优良的热敏电阻器.
用微波等離子體CVD方法製作瞭摻硼金剛石薄膜熱敏電阻器.該器件的結構由Si3N4基底和2μm厚的摻硼金剛石薄膜組成,併採用瞭經退火處理的鈦/金雙金屬層製作歐姆接觸.結果在室溫到600℃範圍內穫得瞭歐姆接觸、溫度響應以及電阻溫度繫數優良的熱敏電阻器.
용미파등리자체CVD방법제작료참붕금강석박막열민전조기.해기건적결구유Si3N4기저화2μm후적참붕금강석박막조성,병채용료경퇴화처리적태/금쌍금속층제작구모접촉.결과재실온도600℃범위내획득료구모접촉、온도향응이급전조온도계수우량적열민전조기.
