固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年
1期
18-22
,共5页
绝缘层上硅%P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管%导电机理%漏电流%二维解析模型
絕緣層上硅%P溝道金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%導電機理%漏電流%二維解析模型
절연층상규%P구도금속-양화물-반도체장효응정체관%도전궤리%루전류%이유해석모형
从薄膜积累型(TF AM) SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发,对其在-5.0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型,为高温TF AM SOI PMOSFET和CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础,也为设计高温SOI PMOSFET和CMOS数字电路提供了一定的理论依据.
從薄膜積纍型(TF AM) SOI PMOSFET的柵下硅膜物理狀態隨外加正柵壓和漏壓的變化齣髮,對其在-5.0 V揹柵偏壓下的導電機理進行瞭比較深入的理論分析,推導齣瞭各種正柵壓和漏壓偏置條件下漏電流的二維解析模型,為高溫TF AM SOI PMOSFET和CMOS數字電路的實驗研究奠定瞭一定的理論基礎,也為設計高溫SOI PMOSFET和CMOS數字電路提供瞭一定的理論依據.
종박막적루형(TF AM) SOI PMOSFET적책하규막물리상태수외가정책압화루압적변화출발,대기재-5.0 V배책편압하적도전궤리진행료비교심입적이론분석,추도출료각충정책압화루압편치조건하루전류적이유해석모형,위고온TF AM SOI PMOSFET화CMOS수자전로적실험연구전정료일정적이론기출,야위설계고온SOI PMOSFET화CMOS수자전로제공료일정적이론의거.
