AlGaAs/AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征
AlGaAs/AlAs체계DBR적MOCVD생장급표정
AlGaAs/AlAs DBR Growth by MOCVD and Its Uniformity
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2002年 8期 781-783 ,共3页

    尉吉勇%黄柏标%于永芹%周海龙%岳金顺%王笃祥%潘教青%秦晓燕%张晓阳%徐现刚

    위길용%황백표%우영근%주해룡%악금순%왕독상%반교청%진효연%장효양%서현강

    分布式Bragg反射(DBR)%MOCVD%白光反射谱%双晶X衍射 分佈式Bragg反射(DBR)%MOCVD%白光反射譜%雙晶X衍射
    분포식Bragg반사(DBR)%MOCVD%백광반사보%쌍정X연사
    设计并利用MOCVD在(311)GaAs衬底上生长了12.5个周期的Al0.6Ga0.4As/AlAs黄绿光分布式Bragg反射(DBR)体系,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布,反射率90 %以上,波长不均匀性在1.0 %以下;利用了X射线双晶衍射对其进行结构表征,580 nm波长DBR结构周期为84.5 nm.
    설계병이용MOCVD재(311)GaAs츤저상생장료12.5개주기적Al0.6Ga0.4As/AlAs황록광분포식Bragg반사(DBR)체계,측량료백광반광보급기외연편봉치파장분포,반사솔90 %이상,파장불균균성재1.0 %이하;이용료X사선쌍정연사대기진행결구표정,580 nm파장DBR결구주기위84.5 nm.
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