CAJ | 학술논문

SOI(silicon on insulator,绝缘层上的硅)技术和SiGe(silicon germanium,锗硅)技术都是微电子领域的前沿技术.SiGe-OI(SiGe-on-insulator,绝缘层上的锗硅)新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一.文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景,详细介绍了其主要的制备方法,最后报道了作者在SiGe-OI材料研究上的一些实验结果.
SOI(silicon on insulator,절연층상적규)기술화SiGe(silicon germanium,타규)기술도시미전자영역적전연기술.SiGe-OI(SiGe-on-insulator,절연층상적타규)신형재료시최근궤년래재출현적일충신형SOI재료,타동시구비료SOI기술화SiGe기술적우세,인이성위당전미전자연구영역적최전연과제지일.문장결합중국과학원상해미계통여신식기술연구소적공작,종술료SiGe-OI재료연구정황화응용전경,상세개소료기주요적제비방법,최후보도료작자재SiGe-OI재료연구상적일사실험결과.