硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2004年
5期
585-589
,共5页
孙晶%刘景和%关效贤%李建利%曾繁明%万玉春%张亮
孫晶%劉景和%關效賢%李建利%曾繁明%萬玉春%張亮
손정%류경화%관효현%리건리%증번명%만옥춘%장량
掺钕钆镓石榴石晶体%原料挥发%激光晶体%提拉法%晶体生长
摻釹釓鎵石榴石晶體%原料揮髮%激光晶體%提拉法%晶體生長
참녀구가석류석정체%원료휘발%격광정체%제랍법%정체생장
通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3.为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1 300℃下,采用固相反应法合成了Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)多晶原料.用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd:GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061.54nm.对晶体表面的开裂现象进行了分析.
通過對晶體生長時和生長後原料揮髮物的XRD分析,髮現在爐膛內壁上的揮髮物質是Ga2O3和Ga2O的混閤物,而觀察窗口及後加熱器內壁上的揮髮物主要是Gd2O3.為避免原料中Ga2O3的揮髮,按化學計量比配料,在1 300℃下,採用固相反應法閤成瞭Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)多晶原料.用此多晶原料,採用提拉法進行瞭Nd:GGG單晶生長研究,所穫單晶的熒光髮射峰位于1061.54nm.對晶體錶麵的開裂現象進行瞭分析.
통과대정체생장시화생장후원료휘발물적XRD분석,발현재로당내벽상적휘발물질시Ga2O3화Ga2O적혼합물,이관찰창구급후가열기내벽상적휘발물주요시Gd2O3.위피면원료중Ga2O3적휘발,안화학계량비배료,재1 300℃하,채용고상반응법합성료Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)다정원료.용차다정원료,채용제랍법진행료Nd:GGG단정생장연구,소획단정적형광발사봉위우1061.54nm.대정체표면적개렬현상진행료분석.
