光谱实验室
光譜實驗室
광보실험실
CHINESE JOURNAL OF SPECTROSCOPY LABORATORY
2010年
4期
1597-1600
,共4页
4H-SiC%吸收系数%紫外(UV)
4H-SiC%吸收繫數%紫外(UV)
4H-SiC%흡수계수%자외(UV)
基于已报道的4H-SiC材料在紫外波段(325-390nm)吸收系数的测定,结合经验公式,采用外推和多项式拟合方法分析4H-SiC材料在200-400nm紫外波段的吸收系数,并得到4H-SiC材料的吸收系数与波长的关系式.对4H-SiC吸收系数的分析研究将作为4H-SiC光电探测器结构设计的一个重要依据.
基于已報道的4H-SiC材料在紫外波段(325-390nm)吸收繫數的測定,結閤經驗公式,採用外推和多項式擬閤方法分析4H-SiC材料在200-400nm紫外波段的吸收繫數,併得到4H-SiC材料的吸收繫數與波長的關繫式.對4H-SiC吸收繫數的分析研究將作為4H-SiC光電探測器結構設計的一箇重要依據.
기우이보도적4H-SiC재료재자외파단(325-390nm)흡수계수적측정,결합경험공식,채용외추화다항식의합방법분석4H-SiC재료재200-400nm자외파단적흡수계수,병득도4H-SiC재료적흡수계수여파장적관계식.대4H-SiC흡수계수적분석연구장작위4H-SiC광전탐측기결구설계적일개중요의거.