发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2002年
4期
352-356
,共5页
万凌云%莫春兰%彭学新%熊传兵%王立%江风益
萬凌雲%莫春蘭%彭學新%熊傳兵%王立%江風益
만릉운%막춘란%팽학신%웅전병%왕립%강풍익
GaN%MOCVD%透射光谱%X射线双晶衍射%PL谱%RBS/沟道
GaN%MOCVD%透射光譜%X射線雙晶衍射%PL譜%RBS/溝道
GaN%MOCVD%투사광보%X사선쌍정연사%PL보%RBS/구도
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系.同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果.
採用MOCVD技術在Al2O3(0001)襯底上生長瞭GaN薄膜,使用透射光譜、光緻髮光光譜和X射線雙晶衍射三種技術測試瞭五類GaN薄膜樣品.實驗結果錶明:GaN薄膜透射譜反映齣的GaN質量與X射線雙晶衍射測量的結果一緻,即透射率越大,半高寬越小,結晶質量越好;而X射線雙晶衍射峰半高寬最小的樣品,其PL譜的帶邊峰卻很弱,這說明PL譜反映樣品的光學性能與X射線雙晶衍射穫得的結晶質量不存在簡單的對應關繫.同時還報導瞭一種特殊工藝生長的高阻GaN樣品的RBS/溝道結果.
채용MOCVD기술재Al2O3(0001)츤저상생장료GaN박막,사용투사광보、광치발광광보화X사선쌍정연사삼충기술측시료오류GaN박막양품.실험결과표명:GaN박막투사보반영출적GaN질량여X사선쌍정연사측량적결과일치,즉투사솔월대,반고관월소,결정질량월호;이X사선쌍정연사봉반고관최소적양품,기PL보적대변봉각흔약,저설명PL보반영양품적광학성능여X사선쌍정연사획득적결정질량불존재간단적대응관계.동시환보도료일충특수공예생장적고조GaN양품적RBS/구도결과.
