高In组分Inx Ga1-x N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究
고In조분Inx Ga1-x N/GaN다양자정재료전치형광보적연구
Study on electroluminescence spectra of In xGa1- xN/GaN-MQWs materials with high indium contents
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2005年 8期 3905-3909 ,共5页

    邵嘉平%胡卉%郭文平%汪莱%罗毅%孙长征%郝智彪

    소가평%호훼%곽문평%왕래%라의%손장정%학지표

    InxGa1-xN/GaN多量子阱%电致荧光谱%内建电场 InxGa1-xN/GaN多量子阱%電緻熒光譜%內建電場
    InxGa1-xN/GaN다양자정%전치형광보%내건전장
    研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.
    연구료고In조분InxGa1-xN/GaN(x≈30%)다양자정(MQWs)결구발광이겁관양품재불동주입전류하적전치형광(EL)보급반상적쌍봉현상.결과표명:유원구내건전장재외계전류주입조건하축점수병폐,저일효응재고In조분InxGa1-xN/GaN MQWs재료적발광복합궤리중점유중요지위.
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