半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
4期
573-575
,共3页
高金环%杨瑞霞%武一宾%刘岳巍%商耀辉%杨克武
高金環%楊瑞霞%武一賓%劉嶽巍%商耀輝%楊剋武
고금배%양서하%무일빈%류악외%상요휘%양극무
共振隧穿二极管%分子束外延%台面结构%InP衬底%峰-谷电流比
共振隧穿二極管%分子束外延%檯麵結構%InP襯底%峰-穀電流比
공진수천이겁관%분자속외연%태면결구%InP츤저%봉-곡전류비
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台面结构.测得室温下的峰值电流密度为1.06×105 A/cm2,峰-谷电流比为7.4,是国内报道的首例InP材料体系RTD器件.
報道瞭InP襯底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs兩壘一阱結構共振隧穿二極管(RTD)器件的研製.結構材料由分子束外延製備,襯底片為(001)半絕緣InP單晶片,器件製作選用檯麵結構.測得室溫下的峰值電流密度為1.06×105 A/cm2,峰-穀電流比為7.4,是國內報道的首例InP材料體繫RTD器件.
보도료InP츤저AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs량루일정결구공진수천이겁관(RTD)기건적연제.결구재료유분자속외연제비,츤저편위(001)반절연InP단정편,기건제작선용태면결구.측득실온하적봉치전류밀도위1.06×105 A/cm2,봉-곡전류비위7.4,시국내보도적수례InP재료체계RTD기건.
