高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制
고량도대공솔InGaAlP홍광LED심편연제
The Study of High-brightness and High-power InGaAlP Red LED
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2008年 2期 330-336 ,共7页

    王小丽%牛萍娟%李晓云%于莉媛%杨广华%刘宏伟%高铁成%罗惠英%战瑛%于欣

    왕소려%우평연%리효운%우리원%양엄화%류굉위%고철성%라혜영%전영%우흔

    LED%InGaAlP%湿法腐蚀%p型欧姆接触 LED%InGaAlP%濕法腐蝕%p型歐姆接觸
    LED%InGaAlP%습법부식%p형구모접촉
    报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极.和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成.对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量.芯片的电性能非常好,其开启电压VT为1.5 V;当工作电压达到3 V时,工作电流为500 mA;在工作电流为350 mA时,峰值波长为635 nm,半峰全宽为16.4 nm,光强为830 mcd.在色度学测试中,色坐标为x=0.694 3,y=0.305 6,显色指数为18.4.因此可以得知高亮度大功率InGaAlP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步,而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点.
    보도료대공솔고량도InGaAlP홍광LED심편적설계화공예제비,실험심편채용배형삽지상전겁.화전통적LED심편상비교,배형삽지상전겁LED심편전류확전분포경균균,이차경유리우여기타기건적집성.대제비호적심편진행료I-V특성、광보특성、광통량화광강적측량.심편적전성능비상호,기개계전압VT위1.5 V;당공작전압체도3 V시,공작전류위500 mA;재공작전류위350 mA시,봉치파장위635 nm,반봉전관위16.4 nm,광강위830 mcd.재색도학측시중,색좌표위x=0.694 3,y=0.305 6,현색지수위18.4.인차가이득지고량도대공솔InGaAlP홍광LED시미래LED작위보통조명광원응용적제일보,이차장회재과학연구화공업투자적흔다응용영역중성위신적초점.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문