原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
z1期
436-440
,共5页
邓婉婷%吴爱民%张广英%秦富文%董闯%姜辛
鄧婉婷%吳愛民%張廣英%秦富文%董闖%薑辛
산완정%오애민%장엄영%진부문%동틈%강신
电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积%多晶硅薄膜%低温生长
電子迴鏇共振等離子體增彊化學氣相沉積%多晶硅薄膜%低溫生長
전자회선공진등리자체증강화학기상침적%다정규박막%저온생장
采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.
採用電子迴鏇共振等離子增彊化學氣相沉積(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2為氣源,在普通玻璃襯底上沉積多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光譜和TEM研究瞭襯底溫度、氫氣流量和微波功率對多晶硅薄膜結構的影響.結果錶明,製得的多晶硅薄膜多以(220)取嚮擇優生長,少數條件下會呈現(111)擇優取嚮.噹襯底溫度為300℃、H2流速為25 mL/min、微波功率為600 W時,多晶硅薄膜結晶狀態最好,且呈最佳的(220)取嚮.
채용전자회선공진등리자증강화학기상침적(ECR-PECvD)방법,이SiH4화H2위기원,재보통파리츤저상침적다정규박막.이용XRD、Raman광보화TEM연구료츤저온도、경기류량화미파공솔대다정규박막결구적영향.결과표명,제득적다정규박막다이(220)취향택우생장,소수조건하회정현(111)택우취향.당츤저온도위300℃、H2류속위25 mL/min、미파공솔위600 W시,다정규박막결정상태최호,차정최가적(220)취향.
