纤锌矿氮化物半导体椭球形量子点杂质态
섬자광담화물반도체타구형양자점잡질태
Impurity States in Wurtzite Nitride Semiconductor Ellipsoidal Quantum Dots
  • 万方数据
    内蒙古大学学报(自然科学版) 내몽고대학학보(자연과학판)
    JOURNAL OF INNER MONGOLIA AGRICULTURAL UNIVERSITY
    2009年 2期 162-166 ,共5页

    石磊%闫祖威

    석뢰%염조위

    杂质态%结合能%单轴异性 雜質態%結閤能%單軸異性
    잡질태%결합능%단축이성
    考虑纤锌矿结构氮化物半导体材料的单轴异性后,在有效质量近似下,利用变分法研究了无限高势垒近似下GaN,AlN和InN椭球形量子点中的杂质态,导出了杂质态结合能随量子点半径和椭球率变化的关系.数值计算结果发现,杂质态结合能随着量子点半径和椭球率的增加而减小.
    고필섬자광결구담화물반도체재료적단축이성후,재유효질량근사하,이용변분법연구료무한고세루근사하GaN,AlN화InN타구형양자점중적잡질태,도출료잡질태결합능수양자점반경화타구솔변화적관계.수치계산결과발현,잡질태결합능수착양자점반경화타구솔적증가이감소.
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