H型栅/源漏非对称结构CMOS在 PDSOI标准单元建库中的应用
H형책/원루비대칭결구CMOS재 PDSOI표준단원건고중적응용
Application of H-Gate/ Asymmetric Source & Drain Structure CMOS in PDSOI Standard Cell Library
  • 万方数据
    科学技术与工程 과학기술여공정
    SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
    2009年 10期 2597-2600,2606 ,共5页

    赵德益%吴龙胜%于洪波%刘佑宝

    조덕익%오룡성%우홍파%류우보

    SOI CMOS%源漏非对称注入%H型栅%标准单元 SOI CMOS%源漏非對稱註入%H型柵%標準單元
    SOI CMOS%원루비대칭주입%H형책%표준단원
    基于0.35 μm SOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究.讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35 μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元库设计,并设计了标准单元测试芯片.
    기우0.35 μm SOI공예평태,진행PDSOI CMOS표준단원건고기술연구.토론선용H형책화원루비대칭결구CMOS건립PDSOI표준단원적우점,근거0.35 μm SOI CMOS공예설계규칙진행표준단원고설계,병설계료표준단원측시심편.
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