半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
11期
1106-1110
,共5页
刘永刚%郭桂良%杜占坤%阎跃鹏
劉永剛%郭桂良%杜佔坤%閻躍鵬
류영강%곽계량%두점곤%염약붕
频率合成器%小数分频锁相环%相位噪声%△-∑调制器%压控振荡器
頻率閤成器%小數分頻鎖相環%相位譟聲%△-∑調製器%壓控振盪器
빈솔합성기%소수분빈쇄상배%상위조성%△-∑조제기%압공진탕기
提出了一种覆盖S/U双波段的小数分频锁相环型频率合成器.该频率合成器采用一种新型多模分频器,与传统的小数分频频率合成器相比具有稳定速度快、工作频率高和频率分辨率高的优点.该锁相环采用了带有开关电容阵列(SCA)的LC-VCO实现了宽频范围,使用3阶MASH△-∑调制技术进行噪声整形,降低了带内噪声.设计基于TSMC 0.25 μm 2.5 V 1P5M CMOS工艺实现.测试结果表明,频率合成器频率范围达到2.450～3.250 GHz;波段内偏离中心频率10 kHz处的相位噪声低于-92.5 dBc/Hz,1 MHz处的相位噪声达到-120 dBc/Hz;最小频率分辨率为13 Hz;在2.5 V工作电压下,功耗为36 mW.
提齣瞭一種覆蓋S/U雙波段的小數分頻鎖相環型頻率閤成器.該頻率閤成器採用一種新型多模分頻器,與傳統的小數分頻頻率閤成器相比具有穩定速度快、工作頻率高和頻率分辨率高的優點.該鎖相環採用瞭帶有開關電容陣列(SCA)的LC-VCO實現瞭寬頻範圍,使用3階MASH△-∑調製技術進行譟聲整形,降低瞭帶內譟聲.設計基于TSMC 0.25 μm 2.5 V 1P5M CMOS工藝實現.測試結果錶明,頻率閤成器頻率範圍達到2.450～3.250 GHz;波段內偏離中心頻率10 kHz處的相位譟聲低于-92.5 dBc/Hz,1 MHz處的相位譟聲達到-120 dBc/Hz;最小頻率分辨率為13 Hz;在2.5 V工作電壓下,功耗為36 mW.
제출료일충복개S/U쌍파단적소수분빈쇄상배형빈솔합성기.해빈솔합성기채용일충신형다모분빈기,여전통적소수분빈빈솔합성기상비구유은정속도쾌、공작빈솔고화빈솔분변솔고적우점.해쇄상배채용료대유개관전용진렬(SCA)적LC-VCO실현료관빈범위,사용3계MASH△-∑조제기술진행조성정형,강저료대내조성.설계기우TSMC 0.25 μm 2.5 V 1P5M CMOS공예실현.측시결과표명,빈솔합성기빈솔범위체도2.450～3.250 GHz;파단내편리중심빈솔10 kHz처적상위조성저우-92.5 dBc/Hz,1 MHz처적상위조성체도-120 dBc/Hz;최소빈솔분변솔위13 Hz;재2.5 V공작전압하,공모위36 mW.
