稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2004年
3期
476-479
,共4页
周春锋%高瑞良%齐德格%赖占平
週春鋒%高瑞良%齊德格%賴佔平
주춘봉%고서량%제덕격%뢰점평
半导体物理学%砷沉淀%AB微缺陷%半绝缘砷化镓单晶片
半導體物理學%砷沉澱%AB微缺陷%半絕緣砷化鎵單晶片
반도체물이학%신침정%AB미결함%반절연신화가단정편
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉淀密度,即AB-EPD,同时也保证了晶片的电学参数不受影响.通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释.
為瞭穫得高質量半絕緣砷化鎵單晶片,有必要降低微缺陷密度.開展瞭晶片熱處理工藝的研究,確定瞭晶片熱處理的溫度、時間、降溫速率等一繫列工藝參數,證實瞭採用此項工藝能降低LEC-GaAs晶片的砷沉澱密度,即AB-EPD,同時也保證瞭晶片的電學參數不受影響.通過對晶片熱處理工藝過程和結果進行分析,給齣瞭晶片熱處理工藝理論模型的解釋.
위료획득고질량반절연신화가단정편,유필요강저미결함밀도.개전료정편열처리공예적연구,학정료정편열처리적온도、시간、강온속솔등일계렬공예삼수,증실료채용차항공예능강저LEC-GaAs정편적신침정밀도,즉AB-EPD,동시야보증료정편적전학삼수불수영향.통과대정편열처리공예과정화결과진행분석,급출료정편열처리공예이론모형적해석.
