CAJ | 학술논문

利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长.首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接近的炉体模型.根据此模型,采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布、晶体及熔体的温度梯度、界面位置等.通过对单晶生长不同时间点的模拟,制定了一套单晶的生长工艺.然后,严格遵循此工艺进行单晶生长实验.通过对实验和模拟结果的对比分析,建立了实验和数值模拟之间的联系,为进一步利用数值模拟指导晶体的实际生长提供了依据.最后,利用数值模拟研究了单晶生长中"边界效应",探讨了晶体生长过程中产生多晶的原因.
이용수치모의화실험상결합적방법,연구료4영촌VGF GaAs단정적생장.수선기우로체결구화소채용재료,건립일개화진실단정생장계통접근적로체모형.근거차모형,채용정체생장모의연건CrysMas계산득도정개로체내적온도분포、정체급용체적온도제도、계면위치등.통과대단정생장불동시간점적모의,제정료일투단정적생장공예.연후,엄격준순차공예진행단정생장실험.통과대실험화모의결과적대비분석,건립료실험화수치모의지간적련계,위진일보이용수치모의지도정체적실제생장제공료의거.최후,이용수치모의연구료단정생장중"변계효응",탐토료정체생장과정중산생다정적원인.