电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
6期
1043-1047
,共5页
带隙基准电压源%低压差线性稳压器%CMOS%误差放大器
帶隙基準電壓源%低壓差線性穩壓器%CMOS%誤差放大器
대극기준전압원%저압차선성은압기%CMOS%오차방대기
设计了一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源.由于目前LDO芯片的面积越来越小,所以在传统带隙基准电压源的基础上,对结构做了简化及改进,在简化设计的同时获得了高的性能.该带隙基准使用三极管作为运算放大器的输入,同时省去了多余的等效二极管,并将此结构应用于LDO结构中.对带隙基准的仿真结果表明,在5 V的电源下,产生25×10-6/℃温度系数的带隙基准电压.低频时电源抑制比为138dB.将该带隙基准结合缓冲器应用于LDO稳压器中,对LDO的仿真结果表明,负载特性良好,相位裕度为63.3度.线性负载率也符合要求.此电路简单可行,可适用于各种LDO芯片中.
設計瞭一種結構簡單的基于LDO穩壓器的帶隙基準電壓源.由于目前LDO芯片的麵積越來越小,所以在傳統帶隙基準電壓源的基礎上,對結構做瞭簡化及改進,在簡化設計的同時穫得瞭高的性能.該帶隙基準使用三極管作為運算放大器的輸入,同時省去瞭多餘的等效二極管,併將此結構應用于LDO結構中.對帶隙基準的倣真結果錶明,在5 V的電源下,產生25×10-6/℃溫度繫數的帶隙基準電壓.低頻時電源抑製比為138dB.將該帶隙基準結閤緩遲器應用于LDO穩壓器中,對LDO的倣真結果錶明,負載特性良好,相位裕度為63.3度.線性負載率也符閤要求.此電路簡單可行,可適用于各種LDO芯片中.
설계료일충결구간단적기우LDO은압기적대극기준전압원.유우목전LDO심편적면적월래월소,소이재전통대극기준전압원적기출상,대결구주료간화급개진,재간화설계적동시획득료고적성능.해대극기준사용삼겁관작위운산방대기적수입,동시성거료다여적등효이겁관,병장차결구응용우LDO결구중.대대극기준적방진결과표명,재5 V적전원하,산생25×10-6/℃온도계수적대극기준전압.저빈시전원억제비위138dB.장해대극기준결합완충기응용우LDO은압기중,대LDO적방진결과표명,부재특성량호,상위유도위63.3도.선성부재솔야부합요구.차전로간단가행,가괄용우각충LDO심편중.
