固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
1期
40-44
,共5页
黄继伟%王志功%廖英豪%李诚瞻%杨寒冰%方志坚
黃繼偉%王誌功%廖英豪%李誠瞻%楊寒冰%方誌堅
황계위%왕지공%료영호%리성첨%양한빙%방지견
功率放大器%宽带码分多址%异质结双极型晶体管%偏置电路%散热
功率放大器%寬帶碼分多阯%異質結雙極型晶體管%偏置電路%散熱
공솔방대기%관대마분다지%이질결쌍겁형정체관%편치전로%산열
设计了一种应用于移动终端的InGaP/GaAs HBT功率放大器.该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的动态偏置点的偏离.电流镜结构的偏置电路与反馈电路使偏置电压维持在一个稳定的状态,在反馈电路中引入一个非反相电路加强了电路增益.通过在偏置管的基极并联一个反偏二极管改善了功率放大器的线性.芯片采用基板的封装形式进行测试,改善了功率放大器的散热条件.测试结果表明该放大器具有27.6 dBm的输出压缩点,对于W-CDMA应用,放大器的效率为34.1％,ACPR为-40.3 dBc.
設計瞭一種應用于移動終耑的InGaP/GaAs HBT功率放大器.該放大器採用瞭一種新穎的在片偏置電路技術,不僅避免瞭由于電源和溫度變化導緻的直流偏置點的不穩定,而且補償瞭由于輸入信號增大所引起的動態偏置點的偏離.電流鏡結構的偏置電路與反饋電路使偏置電壓維持在一箇穩定的狀態,在反饋電路中引入一箇非反相電路加彊瞭電路增益.通過在偏置管的基極併聯一箇反偏二極管改善瞭功率放大器的線性.芯片採用基闆的封裝形式進行測試,改善瞭功率放大器的散熱條件.測試結果錶明該放大器具有27.6 dBm的輸齣壓縮點,對于W-CDMA應用,放大器的效率為34.1％,ACPR為-40.3 dBc.
설계료일충응용우이동종단적InGaP/GaAs HBT공솔방대기.해방대기채용료일충신영적재편편치전로기술,불부피면료유우전원화온도변화도치적직류편치점적불은정,이차보상료유우수입신호증대소인기적동태편치점적편리.전류경결구적편치전로여반궤전로사편치전압유지재일개은정적상태,재반궤전로중인입일개비반상전로가강료전로증익.통과재편치관적기겁병련일개반편이겁관개선료공솔방대기적선성.심편채용기판적봉장형식진행측시,개선료공솔방대기적산열조건.측시결과표명해방대기구유27.6 dBm적수출압축점,대우W-CDMA응용,방대기적효솔위34.1％,ACPR위-40.3 dBc.
