半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
4期
295-298
,共4页
X波段%T/R组件%低温共烧陶瓷%功率合成器%大功率
X波段%T/R組件%低溫共燒陶瓷%功率閤成器%大功率
X파단%T/R조건%저온공소도자%공솔합성기%대공솔
采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件.在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出.在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排各电路单元.在制作工艺方面,采用单元装配的方式,合理设置温度梯度.该组件在X波段9～10 GHz带宽范围内,接收支路噪声系数小于3.1 dB,接收增益为(25.7±0.2) dB,发射支路的功率增益大于30 dB,输出脉冲功率大于15 W,移相均方根误差小于2°,衰减幅度均方根误差小于0.25 dB.
採用公共支路、髮射支路、接收支路和電源調製及控製電路,設計製作瞭一種X波段大功率T/R組件.在組件中,利用低溫共燒陶瓷(LTCC)基闆實現瞭多層互連,採用Wilkinson功率閤成器實現瞭大功率輸齣.在組件佈跼上,充分攷慮腔體效應,閤理安排各電路單元.在製作工藝方麵,採用單元裝配的方式,閤理設置溫度梯度.該組件在X波段9～10 GHz帶寬範圍內,接收支路譟聲繫數小于3.1 dB,接收增益為(25.7±0.2) dB,髮射支路的功率增益大于30 dB,輸齣脈遲功率大于15 W,移相均方根誤差小于2°,衰減幅度均方根誤差小于0.25 dB.
채용공공지로、발사지로、접수지로화전원조제급공제전로,설계제작료일충X파단대공솔T/R조건.재조건중,이용저온공소도자(LTCC)기판실현료다층호련,채용Wilkinson공솔합성기실현료대공솔수출.재조건포국상,충분고필강체효응,합리안배각전로단원.재제작공예방면,채용단원장배적방식,합리설치온도제도.해조건재X파단9～10 GHz대관범위내,접수지로조성계수소우3.1 dB,접수증익위(25.7±0.2) dB,발사지로적공솔증익대우30 dB,수출맥충공솔대우15 W,이상균방근오차소우2°,쇠감폭도균방근오차소우0.25 dB.
