液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2012年
3期
297-302
,共6页
刘智超%李英爱%王静%顾广瑞%吴宝嘉
劉智超%李英愛%王靜%顧廣瑞%吳寶嘉
류지초%리영애%왕정%고엄서%오보가
微波等离子体化学气相沉积%碳纳米球薄膜%场发射
微波等離子體化學氣相沉積%碳納米毬薄膜%場髮射
미파등리자체화학기상침적%탄납미구박막%장발사
利用微波等离子体化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备了碳纳米球薄膜.利用拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜的结构以及表面形貌,表明碳纳米球薄膜是由约2～3μm长、100 nm宽的无定形碳纳米片相互缠绕、交织成球状而构成的.在高真空系统中测量了碳纳米球薄膜的场发射特性,结果表明,碳纳米球薄膜具有良好的场发射特性,阈值电场为3.1 V/μm,当电场增加到10 V/μm时,薄膜的场发射电流密度可达到60.7 mA/cm2.通过三区域电场模型合理地解释了碳纳米球薄膜在低电场、中间电场和高电场区域的场发射特性.
利用微波等離子體化學氣相沉積法,在Si(100)襯底上製備瞭碳納米毬薄膜.利用拉曼光譜和場髮射掃描電子顯微鏡研究瞭薄膜的結構以及錶麵形貌,錶明碳納米毬薄膜是由約2～3μm長、100 nm寬的無定形碳納米片相互纏繞、交織成毬狀而構成的.在高真空繫統中測量瞭碳納米毬薄膜的場髮射特性,結果錶明,碳納米毬薄膜具有良好的場髮射特性,閾值電場為3.1 V/μm,噹電場增加到10 V/μm時,薄膜的場髮射電流密度可達到60.7 mA/cm2.通過三區域電場模型閤理地解釋瞭碳納米毬薄膜在低電場、中間電場和高電場區域的場髮射特性.
이용미파등리자체화학기상침적법,재Si(100)츤저상제비료탄납미구박막.이용랍만광보화장발사소묘전자현미경연구료박막적결구이급표면형모,표명탄납미구박막시유약2～3μm장、100 nm관적무정형탄납미편상호전요、교직성구상이구성적.재고진공계통중측량료탄납미구박막적장발사특성,결과표명,탄납미구박막구유량호적장발사특성,역치전장위3.1 V/μm,당전장증가도10 V/μm시,박막적장발사전류밀도가체도60.7 mA/cm2.통과삼구역전장모형합리지해석료탄납미구박막재저전장、중간전장화고전장구역적장발사특성.
