感光科学与光化学
感光科學與光化學
감광과학여광화학
PHOTOGRAPHIC SCIENCE AND PHOTOCHEMISTRY
2004年
2期
114-119
,共6页
T-颗粒晶体%电子电导率%空穴电导率%浅电子陷阱掺杂剂
T-顆粒晶體%電子電導率%空穴電導率%淺電子陷阱摻雜劑
T-과립정체%전자전도솔%공혈전도솔%천전자함정참잡제
利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T-颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率,并与未掺杂的晶体样品进行对比,分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响.结果表明,随掺杂剂用量的增加,晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加,这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合.但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同,当掺杂量一定,掺杂剂掺在碘区附近时,晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显.随着实验温度的增加,乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降.
利用Wagner極化法研究瞭摻雜K4[Fe(CN)6]淺電子陷阱摻雜劑的溴碘化銀T-顆粒晶體的電子電導率和空穴電導率,併與未摻雜的晶體樣品進行對比,分彆攷察瞭實驗溫度、摻雜劑用量、摻雜位置等因素對實驗結果的影響.結果錶明,隨摻雜劑用量的增加,晶體的電子電導率和空穴電導率都相應增加,這說明淺電子陷阱摻雜劑的摻雜有效地抑製瞭電子和空穴的複閤.但其抑製作用卻因摻雜位置的不同而不同,噹摻雜量一定,摻雜劑摻在碘區附近時,晶體的電子電導率和空穴電導率的變化較明顯.隨著實驗溫度的增加,乳劑晶體的電子電導率和空穴電導率都下降.
이용Wagner겁화법연구료참잡K4[Fe(CN)6]천전자함정참잡제적추전화은T-과립정체적전자전도솔화공혈전도솔,병여미참잡적정체양품진행대비,분별고찰료실험온도、참잡제용량、참잡위치등인소대실험결과적영향.결과표명,수참잡제용량적증가,정체적전자전도솔화공혈전도솔도상응증가,저설명천전자함정참잡제적참잡유효지억제료전자화공혈적복합.단기억제작용각인참잡위치적불동이불동,당참잡량일정,참잡제참재전구부근시,정체적전자전도솔화공혈전도솔적변화교명현.수착실험온도적증가,유제정체적전자전도솔화공혈전도솔도하강.
