固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
3期
375-378
,共4页
牛南辉%王怀兵%刘建平%刘乃鑫%刑燕辉%韩军%邓军%沈光地
牛南輝%王懷兵%劉建平%劉迺鑫%刑燕輝%韓軍%鄧軍%瀋光地
우남휘%왕부병%류건평%류내흠%형연휘%한군%산군%침광지
氮化镓%掺杂%金属有机物化学气相淀积
氮化鎵%摻雜%金屬有機物化學氣相澱積
담화가%참잡%금속유궤물화학기상정적
利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品.研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响.结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜,Mg流量应处于一个合适的范围,Mg流量过低,薄膜的空穴浓度低,电学特性不好;Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,晶体质量与表面形貌变差,Mg的活化率也降低,并且自补偿效应更加严重,最终使得空穴浓度降低,电学特性变差.将优化的条件应用于蓝光发光管的外延生长,并制备了器件,在20 mA的注入电流下,输出功率为6.5 mW,正向压降3 V,反向击穿电压为20 V.
利用MOCVD生長瞭不同Mg流量的P型GaN樣品.研究瞭Mg流量對MOCVD生長的P型GaN薄膜的電學特性、錶麵形貌及晶體質量的影響.結果錶明利用MOCVD製備高質量的P型GaN薄膜,Mg流量應處于一箇閤適的範圍,Mg流量過低,薄膜的空穴濃度低,電學特性不好;Mg流量過高,則會產生大量的缺陷,晶體質量與錶麵形貌變差,Mg的活化率也降低,併且自補償效應更加嚴重,最終使得空穴濃度降低,電學特性變差.將優化的條件應用于藍光髮光管的外延生長,併製備瞭器件,在20 mA的註入電流下,輸齣功率為6.5 mW,正嚮壓降3 V,反嚮擊穿電壓為20 V.
이용MOCVD생장료불동Mg류량적P형GaN양품.연구료Mg류량대MOCVD생장적P형GaN박막적전학특성、표면형모급정체질량적영향.결과표명이용MOCVD제비고질량적P형GaN박막,Mg류량응처우일개합괄적범위,Mg류량과저,박막적공혈농도저,전학특성불호;Mg류량과고,칙회산생대량적결함,정체질량여표면형모변차,Mg적활화솔야강저,병차자보상효응경가엄중,최종사득공혈농도강저,전학특성변차.장우화적조건응용우람광발광관적외연생장,병제비료기건,재20 mA적주입전류하,수출공솔위6.5 mW,정향압강3 V,반향격천전압위20 V.
