华中科技大学学报（自然科学版）
華中科技大學學報（自然科學版）
화중과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURE SCIENCE)
2007年
z1期
41-44
,共4页
阮凯斌%伍广亨%梁通%包定华
阮凱斌%伍廣亨%樑通%包定華
원개빈%오엄형%량통%포정화
LNO薄膜%化学溶液沉积法%电阻率
LNO薄膜%化學溶液沉積法%電阻率
LNO박막%화학용액침적법%전조솔
采用化学溶液沉积法在(100)Si, SiO2/Si, (100)Al2O3, (100)MgO, (100)SrTiO3(STO), (100)ZrO2等衬底上制备了LaNiO3(LNO)薄膜,研究了热处理温度对薄膜结构和电性能的影响.结果显示,衬底种类影响LNO薄膜的结晶,其中STO衬底上的LNO薄膜呈高a轴择优取向成长,且其电阻率最低,为0.87 mΩ·cm.而对于Si衬底上的LNO薄膜,随着热处理温度升高,晶粒尺寸增大,电阻率降低,在750 ℃时电阻率达到最低值(1.52 mΩ·cm),其后热处理温度的升高导致杂相的形成,电阻率反而上升.扫描电镜观察证实这些LNO薄膜光滑、致密、均匀且无裂纹.结果表明,制得的LNO薄膜可用作集成铁电薄膜器件的底电极.
採用化學溶液沉積法在(100)Si, SiO2/Si, (100)Al2O3, (100)MgO, (100)SrTiO3(STO), (100)ZrO2等襯底上製備瞭LaNiO3(LNO)薄膜,研究瞭熱處理溫度對薄膜結構和電性能的影響.結果顯示,襯底種類影響LNO薄膜的結晶,其中STO襯底上的LNO薄膜呈高a軸擇優取嚮成長,且其電阻率最低,為0.87 mΩ·cm.而對于Si襯底上的LNO薄膜,隨著熱處理溫度升高,晶粒呎吋增大,電阻率降低,在750 ℃時電阻率達到最低值(1.52 mΩ·cm),其後熱處理溫度的升高導緻雜相的形成,電阻率反而上升.掃描電鏡觀察證實這些LNO薄膜光滑、緻密、均勻且無裂紋.結果錶明,製得的LNO薄膜可用作集成鐵電薄膜器件的底電極.
채용화학용액침적법재(100)Si, SiO2/Si, (100)Al2O3, (100)MgO, (100)SrTiO3(STO), (100)ZrO2등츤저상제비료LaNiO3(LNO)박막,연구료열처리온도대박막결구화전성능적영향.결과현시,츤저충류영향LNO박막적결정,기중STO츤저상적LNO박막정고a축택우취향성장,차기전조솔최저,위0.87 mΩ·cm.이대우Si츤저상적LNO박막,수착열처리온도승고,정립척촌증대,전조솔강저,재750 ℃시전조솔체도최저치(1.52 mΩ·cm),기후열처리온도적승고도치잡상적형성,전조솔반이상승.소묘전경관찰증실저사LNO박막광활、치밀、균균차무렬문.결과표명,제득적LNO박막가용작집성철전박막기건적저전겁.
