电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
5期
33-35
,共3页
张凯%蒋书文%程鹏%张鹰%齐增亮
張凱%蔣書文%程鵬%張鷹%齊增亮
장개%장서문%정붕%장응%제증량
无机非金属材料%Cd掺杂BZCN薄膜%射频磁控溅射%介电性能%介电可调率
無機非金屬材料%Cd摻雜BZCN薄膜%射頻磁控濺射%介電性能%介電可調率
무궤비금속재료%Cd참잡BZCN박막%사빈자공천사%개전성능%개전가조솔
用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜.研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响.结果表明,沉积温度为600 ℃,退火温度为700 ℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8 %,tanδ小于0.004 2.
用射頻磁控濺射法,在Pt/Si基片上製備瞭立方燒綠石結構的Cd摻雜Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜.研究瞭襯底溫度對薄膜結構、錶麵形貌以及介電性能的影響.結果錶明,沉積溫度為600 ℃,退火溫度為700 ℃製備的薄膜,在測試頻率為100 kHz,測試電場彊度為1.33×106 V/cm的條件下,介電可調率達到11.8 %,tanδ小于0.004 2.
용사빈자공천사법,재Pt/Si기편상제비료립방소록석결구적Cd참잡Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)박막.연구료츤저온도대박막결구、표면형모이급개전성능적영향.결과표명,침적온도위600 ℃,퇴화온도위700 ℃제비적박막,재측시빈솔위100 kHz,측시전장강도위1.33×106 V/cm적조건하,개전가조솔체도11.8 %,tanδ소우0.004 2.
