物理学报
物理學報
물이학보
2008年
5期
3176-3181
,共6页
熊传兵%江风益%方文卿%王立%莫春兰
熊傳兵%江風益%方文卿%王立%莫春蘭
웅전병%강풍익%방문경%왕립%막춘란
GaN%发光二极管%硅衬底%应力
GaN%髮光二極管%硅襯底%應力
GaN%발광이겁관%규츤저%응력
利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的lnGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上.研究结果表明,转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大.去除转移后LED薄膜中过渡层后,GaN层受到的张应力变大,而铟镓氮层受到的压应力基本不变.将转移后的薄膜做成垂直结构的LED芯片后,其光电性能明显改善.
利用外延片壓銲和濕法腐蝕技術將硅襯底上生長的lnGaN多量子阱髮光二極管(LED)薄膜材料轉移到瞭新襯底上.研究結果錶明,轉移後的LED薄膜中GaN層受到的張應力變小,InGaN層受的壓應力變大.去除轉移後LED薄膜中過渡層後,GaN層受到的張應力變大,而銦鎵氮層受到的壓應力基本不變.將轉移後的薄膜做成垂直結構的LED芯片後,其光電性能明顯改善.
이용외연편압한화습법부식기술장규츤저상생장적lnGaN다양자정발광이겁관(LED)박막재료전이도료신츤저상.연구결과표명,전이후적LED박막중GaN층수도적장응력변소,InGaN층수적압응력변대.거제전이후LED박막중과도층후,GaN층수도적장응력변대,이인가담층수도적압응력기본불변.장전이후적박막주성수직결구적LED심편후,기광전성능명현개선.
