分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2008年
8期
1121-1124
,共4页
龚兰新%魏翠梅%胡劲波%李启隆
龔蘭新%魏翠梅%鬍勁波%李啟隆
공란신%위취매%호경파%리계륭
多壁碳纳米管%纳米钴%阿霉素%电化学行为
多壁碳納米管%納米鈷%阿黴素%電化學行為
다벽탄납미관%납미고%아매소%전화학행위
以固定在氧化铟锡(ITO)电极上的多壁碳纳米管为基底吸附纳米钴,制备了复合纳米材料修饰的电极(Co/CNT/ITO).采用扫描电子显微镜(SEM )和电子能谱(EDS)等对其进行了表征.用纳米钴/碳纳米管/ITO电极,研究了阿霉素(ADM)的电化学行为.实验表明,该体系具有吸附性的不可逆过程,峰电位为-0.65 V(vs.Ag/AgCl),峰电流与ADM 浓度在1.0×10-9～5.0×10-7mol/L范围内呈线性关系;检出限为1.0×10-9mol/L.本法灵敏、简便.
以固定在氧化銦錫(ITO)電極上的多壁碳納米管為基底吸附納米鈷,製備瞭複閤納米材料脩飾的電極(Co/CNT/ITO).採用掃描電子顯微鏡(SEM )和電子能譜(EDS)等對其進行瞭錶徵.用納米鈷/碳納米管/ITO電極,研究瞭阿黴素(ADM)的電化學行為.實驗錶明,該體繫具有吸附性的不可逆過程,峰電位為-0.65 V(vs.Ag/AgCl),峰電流與ADM 濃度在1.0×10-9～5.0×10-7mol/L範圍內呈線性關繫;檢齣限為1.0×10-9mol/L.本法靈敏、簡便.
이고정재양화인석(ITO)전겁상적다벽탄납미관위기저흡부납미고,제비료복합납미재료수식적전겁(Co/CNT/ITO).채용소묘전자현미경(SEM )화전자능보(EDS)등대기진행료표정.용납미고/탄납미관/ITO전겁,연구료아매소(ADM)적전화학행위.실험표명,해체계구유흡부성적불가역과정,봉전위위-0.65 V(vs.Ag/AgCl),봉전류여ADM 농도재1.0×10-9～5.0×10-7mol/L범위내정선성관계;검출한위1.0×10-9mol/L.본법령민、간편.
