半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
6期
598-602
,共5页
杨发顺%马奎%林洁馨%丁召%傅兴华
楊髮順%馬奎%林潔馨%丁召%傅興華
양발순%마규%림길형%정소%부흥화
大负载电流%低温度系数%电源抑制比%过热保护%绝对温度比电流
大負載電流%低溫度繫數%電源抑製比%過熱保護%絕對溫度比電流
대부재전류%저온도계수%전원억제비%과열보호%절대온도비전류
设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标.通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的温度系数、负载调整率、噪声、交流电源纹波抑制比、负载电流、启动时间等电参数进行仿真验证,得到了初始精度±0.5%,在-40～85℃范围内温度系数小于6×10-6/℃,负载电流0～50 mA,电源电压4.5～36 V,输出为2.5 V的集成电压基准源电路.该电路采用6 μm/36 VK极型工艺生产制造,芯片面积为1.7 mm×2.1 mm,具有过热保护、过流保护和反接保护功能.
設計併實現瞭一種基于雙極型工藝的2.5V高精度大負載電流集成基準電壓源電路,通過對傳統帶隙基準電路的改進,設計中增加瞭電源電壓分配電路、電流反饋電路和大電流驅動電路,實現高精度大負載電流的目標.通過Cadence軟件平檯下的Spectre倣真器對電路的溫度繫數、負載調整率、譟聲、交流電源紋波抑製比、負載電流、啟動時間等電參數進行倣真驗證,得到瞭初始精度±0.5%,在-40～85℃範圍內溫度繫數小于6×10-6/℃,負載電流0～50 mA,電源電壓4.5～36 V,輸齣為2.5 V的集成電壓基準源電路.該電路採用6 μm/36 VK極型工藝生產製造,芯片麵積為1.7 mm×2.1 mm,具有過熱保護、過流保護和反接保護功能.
설계병실현료일충기우쌍겁형공예적2.5V고정도대부재전류집성기준전압원전로,통과대전통대극기준전로적개진,설계중증가료전원전압분배전로、전류반궤전로화대전류구동전로,실현고정도대부재전류적목표.통과Cadence연건평태하적Spectre방진기대전로적온도계수、부재조정솔、조성、교류전원문파억제비、부재전류、계동시간등전삼수진행방진험증,득도료초시정도±0.5%,재-40～85℃범위내온도계수소우6×10-6/℃,부재전류0～50 mA,전원전압4.5～36 V,수출위2.5 V적집성전압기준원전로.해전로채용6 μm/36 VK겁형공예생산제조,심편면적위1.7 mm×2.1 mm,구유과열보호、과류보호화반접보호공능.
