半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
8期
794-796
,共3页
张力江%幺锦强%周俊%王敬松
張力江%幺錦彊%週俊%王敬鬆
장력강%요금강%주준%왕경송
感应耦合等离子体%直流偏压%腔体压力%干法刻蚀%砷化镓刻蚀
感應耦閤等離子體%直流偏壓%腔體壓力%榦法刻蝕%砷化鎵刻蝕
감응우합등리자체%직류편압%강체압력%간법각식%신화가각식
基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔体压力下设备直流偏压的变化情况.发现在各种不同的功率下都存在一个特定的腔体压力,当低于该腔体压力时直流偏压会随腔体压力的增大而增加,当高于该腔体压力后直流偏压会随着腔体压力的增加而缓慢减小.讨论了产生这种现象的原因,揭示了其中的物理机理,以该方法作为参考,通过一组对比实验在工艺中得到验证,给出了GaAs刻蚀的工艺条件,为刻蚀工艺条件的优化提供了一个参考.
基于GaAs器件榦法刻蝕工藝,介紹感應耦閤等離子(ICP)的刻蝕原理,以Cl2和BCl3為刻蝕氣體,研究分析瞭在GaAs錶麵刻蝕工藝中不同的腔體壓力下設備直流偏壓的變化情況.髮現在各種不同的功率下都存在一箇特定的腔體壓力,噹低于該腔體壓力時直流偏壓會隨腔體壓力的增大而增加,噹高于該腔體壓力後直流偏壓會隨著腔體壓力的增加而緩慢減小.討論瞭產生這種現象的原因,揭示瞭其中的物理機理,以該方法作為參攷,通過一組對比實驗在工藝中得到驗證,給齣瞭GaAs刻蝕的工藝條件,為刻蝕工藝條件的優化提供瞭一箇參攷.
기우GaAs기건간법각식공예,개소감응우합등리자(ICP)적각식원리,이Cl2화BCl3위각식기체,연구분석료재GaAs표면각식공예중불동적강체압력하설비직류편압적변화정황.발현재각충불동적공솔하도존재일개특정적강체압력,당저우해강체압력시직류편압회수강체압력적증대이증가,당고우해강체압력후직류편압회수착강체압력적증가이완만감소.토론료산생저충현상적원인,게시료기중적물리궤리,이해방법작위삼고,통과일조대비실험재공예중득도험증,급출료GaAs각식적공예조건,위각식공예조건적우화제공료일개삼고.
