北京理工大学学报
北京理工大學學報
북경리공대학학보
JOURNAL OF BEIJING INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2011年
10期
1162-1167
,共6页
赵立波%赵玉龙%热合曼·艾比布力%方续东%李建波%李勇%蒋庄德
趙立波%趙玉龍%熱閤曼·艾比佈力%方續東%李建波%李勇%蔣莊德
조립파%조옥룡%열합만·애비포력%방속동%리건파%리용%장장덕
耐高温%压阻力敏硅芯片%硅隔离%静电键合%倒杯式
耐高溫%壓阻力敏硅芯片%硅隔離%靜電鍵閤%倒杯式
내고온%압조력민규심편%규격리%정전건합%도배식
采用微型机械电子系统(MEMS)技术制作出了平膜型硅隔离(SOI)耐高温压阻力敏硅芯片,采用静电键合工艺将该力敏硅芯片封装在硼硅玻璃环上,制作出倒杯式弹性敏感单元.分析了静电键合时力敏硅芯片与玻璃环的对准偏差对力敏硅芯片非线性的影响；实验验证了静电键合工艺对硅芯片温度性能的影响以及制作的耐高温压力传感器的性能.结果表明,对准偏差对硅芯片的非线性有较大影响；静电键合工艺对硅芯片的零位时漂和热零点漂移影响较小；制作的耐高温压力传感器具有优良的性能指标,能满足实际的工程应用需求.
採用微型機械電子繫統(MEMS)技術製作齣瞭平膜型硅隔離(SOI)耐高溫壓阻力敏硅芯片,採用靜電鍵閤工藝將該力敏硅芯片封裝在硼硅玻璃環上,製作齣倒杯式彈性敏感單元.分析瞭靜電鍵閤時力敏硅芯片與玻璃環的對準偏差對力敏硅芯片非線性的影響；實驗驗證瞭靜電鍵閤工藝對硅芯片溫度性能的影響以及製作的耐高溫壓力傳感器的性能.結果錶明,對準偏差對硅芯片的非線性有較大影響；靜電鍵閤工藝對硅芯片的零位時漂和熱零點漂移影響較小；製作的耐高溫壓力傳感器具有優良的性能指標,能滿足實際的工程應用需求.
채용미형궤계전자계통(MEMS)기술제작출료평막형규격리(SOI)내고온압조력민규심편,채용정전건합공예장해력민규심편봉장재붕규파리배상,제작출도배식탄성민감단원.분석료정전건합시력민규심편여파리배적대준편차대력민규심편비선성적영향；실험험증료정전건합공예대규심편온도성능적영향이급제작적내고온압력전감기적성능.결과표명,대준편차대규심편적비선성유교대영향；정전건합공예대규심편적령위시표화열영점표이영향교소；제작적내고온압력전감기구유우량적성능지표,능만족실제적공정응용수구.
