功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2011年
6期
538-542
,共5页
疏敏%王学生%代晶晶%戚学贵
疏敏%王學生%代晶晶%慼學貴
소민%왕학생%대정정%척학귀
Zn/Sb薄膜%磁控溅射%Seebeck系数%电导率
Zn/Sb薄膜%磁控濺射%Seebeck繫數%電導率
Zn/Sb박막%자공천사%Seebeck계수%전도솔
采用磁控溅射的方法,两个单靶依次在Si (100)基底上循环5次溅射制备了Zn/Sb多层复合纳米薄膜,并研究了固定调制周期为40nm时,Zn和Sb的调制比分别为1:1、3:2和4:1的三种情况下,Zn/Sb复合薄膜的Seebeck系数、电导率和功率因子在160K -250K温度范围内随温度的变化情况.采用XRD、AFM对其结构和表面形貌进行分析,发现制备的薄膜表面光滑、致密,无大颗粒,呈现出晶面择优生长的现象.实验结果表明:当调制比为4:1时,Zn/Sb薄膜的功率因子最高,且其最大值达到在174K时的7543.54μW/mK2,但随着温度的升高,其值迅速的下降,变化趋势和幅度都很明显.
採用磁控濺射的方法,兩箇單靶依次在Si (100)基底上循環5次濺射製備瞭Zn/Sb多層複閤納米薄膜,併研究瞭固定調製週期為40nm時,Zn和Sb的調製比分彆為1:1、3:2和4:1的三種情況下,Zn/Sb複閤薄膜的Seebeck繫數、電導率和功率因子在160K -250K溫度範圍內隨溫度的變化情況.採用XRD、AFM對其結構和錶麵形貌進行分析,髮現製備的薄膜錶麵光滑、緻密,無大顆粒,呈現齣晶麵擇優生長的現象.實驗結果錶明:噹調製比為4:1時,Zn/Sb薄膜的功率因子最高,且其最大值達到在174K時的7543.54μW/mK2,但隨著溫度的升高,其值迅速的下降,變化趨勢和幅度都很明顯.
채용자공천사적방법,량개단파의차재Si (100)기저상순배5차천사제비료Zn/Sb다층복합납미박막,병연구료고정조제주기위40nm시,Zn화Sb적조제비분별위1:1、3:2화4:1적삼충정황하,Zn/Sb복합박막적Seebeck계수、전도솔화공솔인자재160K -250K온도범위내수온도적변화정황.채용XRD、AFM대기결구화표면형모진행분석,발현제비적박막표면광활、치밀,무대과립,정현출정면택우생장적현상.실험결과표명:당조제비위4:1시,Zn/Sb박막적공솔인자최고,차기최대치체도재174K시적7543.54μW/mK2,단수착온도적승고,기치신속적하강,변화추세화폭도도흔명현.
