半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
3期
325-328
,共4页
石华芬%刘训春%张海英%石瑞英%王润梅%汪宁%罗明雄
石華芬%劉訓春%張海英%石瑞英%王潤梅%汪寧%囉明雄
석화분%류훈춘%장해영%석서영%왕윤매%왕저%라명웅
铟铝砷/铟镓砷%变组分高电子迁移率晶体管%赝配高电子迁移率晶体管
銦鋁砷/銦鎵砷%變組分高電子遷移率晶體管%贗配高電子遷移率晶體管
인려신/인가신%변조분고전자천이솔정체관%안배고전자천이솔정체관
采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为75GHz,比同样工艺条件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.
採用普通接觸曝光研製成柵長為0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs變組分高電子遷移率晶體管(MHEMT),測得其跨導為522mS/mm,溝道電流密度達490mA/mm,截止頻率為75GHz,比同樣工藝條件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.對該器件工藝及結果進行瞭分析,提取瞭器件的交流小信號等效電路模型參數,併提齣瞭進一步得到高穩定性、高性能器件的方法.
채용보통접촉폭광연제성책장위0.25μm적GaAs기InAlAs/InGaAs변조분고전자천이솔정체관(MHEMT),측득기과도위522mS/mm,구도전류밀도체490mA/mm,절지빈솔위75GHz,비동양공예조건하GaAs기InGaP/InGaAs PHEMT적성능유흔대적제고.대해기건공예급결과진행료분석,제취료기건적교류소신호등효전로모형삼수,병제출료진일보득도고은정성、고성능기건적방법.
