江西科学
江西科學
강서과학
JIANGXI SCIENCE
2005年
5期
514-515,547
,共3页
LaNiO3电极%PZT铁电薄膜%射频溅射%择优取向
LaNiO3電極%PZT鐵電薄膜%射頻濺射%擇優取嚮
LaNiO3전겁%PZT철전박막%사빈천사%택우취향
以射频(RF)磁控溅射法分别在Si(111)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上溅射沉积LaNiO3(LNO)薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理(500℃/10 min).X射线衍射(XRD)分析表明:Si(111)基底上LNO电极表现出高度的(100)取向,而Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上LNO电极则表现较强的(111)择优取向.然后在(100)LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜,通过合适溅射工艺参数的选择,成功地制备了高度(100)取向的PZT铁电薄膜.
以射頻(RF)磁控濺射法分彆在Si(111)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上濺射沉積LaNiO3(LNO)薄膜電極,沉積過程中基底溫度為370℃,然後對沉積的LNO薄膜樣品進行快速熱退火處理(500℃/10 min).X射線衍射(XRD)分析錶明:Si(111)基底上LNO電極錶現齣高度的(100)取嚮,而Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上LNO電極則錶現較彊的(111)擇優取嚮.然後在(100)LNO薄膜電極上生長PZT鐵電薄膜,通過閤適濺射工藝參數的選擇,成功地製備瞭高度(100)取嚮的PZT鐵電薄膜.
이사빈(RF)자공천사법분별재Si(111)화Pt(111)/Ti/SiO2/Si기저상천사침적LaNiO3(LNO)박막전겁,침적과정중기저온도위370℃,연후대침적적LNO박막양품진행쾌속열퇴화처리(500℃/10 min).X사선연사(XRD)분석표명:Si(111)기저상LNO전겁표현출고도적(100)취향,이Pt(111)/Ti/SiO2/Si기저상LNO전겁칙표현교강적(111)택우취향.연후재(100)LNO박막전겁상생장PZT철전박막,통과합괄천사공예삼수적선택,성공지제비료고도(100)취향적PZT철전박막.
