半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
1期
26-28,32
,共4页
抗辐射加固%单粒子效应%单粒子翻转%单粒子瞬变%D触发器
抗輻射加固%單粒子效應%單粒子翻轉%單粒子瞬變%D觸髮器
항복사가고%단입자효응%단입자번전%단입자순변%D촉발기
在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器.该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题.
在對抗單粒子效應技術研究的基礎上,構造瞭一種改進型的抗單粒子翻轉和單粒子瞬變的主從型邊沿D觸髮器.該D觸髮器在不影響設計流程的情況下能使得整箇芯片都具有抗單粒子效應,併有效改善瞭以往由于引入抗輻射設計而導緻芯片麵積大幅度提高的問題.
재대항단입자효응기술연구적기출상,구조료일충개진형적항단입자번전화단입자순변적주종형변연D촉발기.해D촉발기재불영향설계류정적정황하능사득정개심편도구유항단입자효응,병유효개선료이왕유우인입항복사설계이도치심편면적대폭도제고적문제.
