金属学报
金屬學報
금속학보
ACTA METALLURGICA SINICA
2007年
2期
159-164
,共6页
郭岩%徐彬%吴贵智%马胜利%徐可为
郭巖%徐彬%吳貴智%馬勝利%徐可為
곽암%서빈%오귀지%마성리%서가위
Ti-Si-C-N%纳米复合超硬薄膜%晶粒尺寸%抗氧化温度
Ti-Si-C-N%納米複閤超硬薄膜%晶粒呎吋%抗氧化溫度
Ti-Si-C-N%납미복합초경박막%정립척촌%항양화온도
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)方法在高速钢基体上沉积出Ti-Si-C-N超硬薄膜.XRD,XPS及HRTEM等测试表明,薄膜由纳米晶/非晶复合结构组成(nc-Ti(C,N)/a-Si3N4/a-C-C或nc-Ti(C,N)/h-Si3N4/a-Si3N4/a-C-C).Ti(C,N)显示(200)晶面择优取向.高温氧化实验显示:随Ti含量降低和Si含量增大,Ti-Si-C-N薄膜的抗氧化温度逐步提高;当Ti含量为8.7%、Si含量为17.8%时,薄膜中出现少量晶化的密排六方结构的h-Si3N4,弥散分布在非晶基体中,薄膜抗氧化温度达到900℃.Ti-Si-C-N薄膜的氧化过程分为增重和失重两个阶段,进入失重阶段后薄膜很快失效.
用脈遲直流等離子體輔助化學氣相沉積(PCVD)方法在高速鋼基體上沉積齣Ti-Si-C-N超硬薄膜.XRD,XPS及HRTEM等測試錶明,薄膜由納米晶/非晶複閤結構組成(nc-Ti(C,N)/a-Si3N4/a-C-C或nc-Ti(C,N)/h-Si3N4/a-Si3N4/a-C-C).Ti(C,N)顯示(200)晶麵擇優取嚮.高溫氧化實驗顯示:隨Ti含量降低和Si含量增大,Ti-Si-C-N薄膜的抗氧化溫度逐步提高;噹Ti含量為8.7%、Si含量為17.8%時,薄膜中齣現少量晶化的密排六方結構的h-Si3N4,瀰散分佈在非晶基體中,薄膜抗氧化溫度達到900℃.Ti-Si-C-N薄膜的氧化過程分為增重和失重兩箇階段,進入失重階段後薄膜很快失效.
용맥충직류등리자체보조화학기상침적(PCVD)방법재고속강기체상침적출Ti-Si-C-N초경박막.XRD,XPS급HRTEM등측시표명,박막유납미정/비정복합결구조성(nc-Ti(C,N)/a-Si3N4/a-C-C혹nc-Ti(C,N)/h-Si3N4/a-Si3N4/a-C-C).Ti(C,N)현시(200)정면택우취향.고온양화실험현시:수Ti함량강저화Si함량증대,Ti-Si-C-N박막적항양화온도축보제고;당Ti함량위8.7%、Si함량위17.8%시,박막중출현소량정화적밀배륙방결구적h-Si3N4,미산분포재비정기체중,박막항양화온도체도900℃.Ti-Si-C-N박막적양화과정분위증중화실중량개계단,진입실중계단후박막흔쾌실효.
