半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
5期
1003-1009
,共7页
宽带%调谐增益%开关电容阵列%开关可变电容阵列%差分调谐%压控振荡器
寬帶%調諧增益%開關電容陣列%開關可變電容陣列%差分調諧%壓控振盪器
관대%조해증익%개관전용진렬%개관가변전용진렬%차분조해%압공진탕기
设计了一个应用于数字电视调谐器的宽带电感电容压控振荡器.该振荡器包含了一个开关可变电容阵列,用以抑制调谐增益的变化.整个电路采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明:压控振荡器的频率范围从1.17GHz至2.03GHz(53.8%);调谐增益从69MHz/V变化至93MHz/V,其变化幅度与最大值相比为25.8%;最差相位噪声为-126dBc/Hz@1MHz;在1.5V电源电压下,压控振荡器的功耗约为9mW.
設計瞭一箇應用于數字電視調諧器的寬帶電感電容壓控振盪器.該振盪器包含瞭一箇開關可變電容陣列,用以抑製調諧增益的變化.整箇電路採用0.18μm CMOS工藝實現.測試結果錶明:壓控振盪器的頻率範圍從1.17GHz至2.03GHz(53.8%);調諧增益從69MHz/V變化至93MHz/V,其變化幅度與最大值相比為25.8%;最差相位譟聲為-126dBc/Hz@1MHz;在1.5V電源電壓下,壓控振盪器的功耗約為9mW.
설계료일개응용우수자전시조해기적관대전감전용압공진탕기.해진탕기포함료일개개관가변전용진렬,용이억제조해증익적변화.정개전로채용0.18μm CMOS공예실현.측시결과표명:압공진탕기적빈솔범위종1.17GHz지2.03GHz(53.8%);조해증익종69MHz/V변화지93MHz/V,기변화폭도여최대치상비위25.8%;최차상위조성위-126dBc/Hz@1MHz;재1.5V전원전압하,압공진탕기적공모약위9mW.
