电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
4期
416-419
,共4页
何玉娟%罗宏伟%恩云飞%张正选
何玉娟%囉宏偉%恩雲飛%張正選
하옥연%라굉위%은운비%장정선
可靠性%辐射%总剂量效应%X射线%γ射线
可靠性%輻射%總劑量效應%X射線%γ射線
가고성%복사%총제량효응%X사선%γ사선
为进行10 keV X射线和60Co γ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI (Silicon-on-Insulator) n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOI NMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较.实验结果表明,SOI NMOS器件的前栅特性中X射线与60Co γ射线辐照感生阈值电压漂移值的比值α随总剂量增加而增大,而背栅特性中α值在不同偏置条件下变化趋势是不同的;在总剂量为1×106 rad(Si)时,前栅器件α值为0.6～0.75,背栅器件α值为0.76～1.0.
為進行10 keV X射線和60Co γ射線總劑量輻射效應的比較,採用這兩種輻射源對SOI (Silicon-on-Insulator) n-MOSFET在不同偏置條件下進行總劑量輻照試驗,分析瞭SOI NMOS器件在兩種輻射源下輻照前後的閾值電壓的漂移值併進行比較.實驗結果錶明,SOI NMOS器件的前柵特性中X射線與60Co γ射線輻照感生閾值電壓漂移值的比值α隨總劑量增加而增大,而揹柵特性中α值在不同偏置條件下變化趨勢是不同的;在總劑量為1×106 rad(Si)時,前柵器件α值為0.6～0.75,揹柵器件α值為0.76～1.0.
위진행10 keV X사선화60Co γ사선총제량복사효응적비교,채용저량충복사원대SOI (Silicon-on-Insulator) n-MOSFET재불동편치조건하진행총제량복조시험,분석료SOI NMOS기건재량충복사원하복조전후적역치전압적표이치병진행비교.실험결과표명,SOI NMOS기건적전책특성중X사선여60Co γ사선복조감생역치전압표이치적비치α수총제량증가이증대,이배책특성중α치재불동편치조건하변화추세시불동적;재총제량위1×106 rad(Si)시,전책기건α치위0.6～0.75,배책기건α치위0.76～1.0.
