固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
3期
396-401
,共6页
陈平%黄美浅%李观启%李斌%陈蒲生
陳平%黃美淺%李觀啟%李斌%陳蒲生
진평%황미천%리관계%리빈%진포생
钛酸锶钡薄膜%物理特性%电学特性%介电常数%电荷存储
鈦痠鍶鋇薄膜%物理特性%電學特性%介電常數%電荷存儲
태산송패박막%물리특성%전학특성%개전상수%전하존저
利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜,并在氧气中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成MIOS电容结构,研究其物理及电学特性.结果表明,氧退火条件对衬底的钛酸锶钡薄膜的物理及电学特性有较为明显的影响.
利用氬離子束鍍膜技術和硅平麵工藝在經過榦氧氧化的硅襯底上製備一層鈦痠鍶鋇薄膜,併在氧氣中進行不同條件的退火處理,然後蒸鋁及利用光刻技術製作鋁電極而形成MIOS電容結構,研究其物理及電學特性.結果錶明,氧退火條件對襯底的鈦痠鍶鋇薄膜的物理及電學特性有較為明顯的影響.
이용아리자속도막기술화규평면공예재경과간양양화적규츤저상제비일층태산송패박막,병재양기중진행불동조건적퇴화처리,연후증려급이용광각기술제작려전겁이형성MIOS전용결구,연구기물리급전학특성.결과표명,양퇴화조건대츤저적태산송패박막적물리급전학특성유교위명현적영향.
