半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
2期
284-288
,共5页
4H-SiC%紫外光%雪崩光电探测器
4H-SiC%紫外光%雪崩光電探測器
4H-SiC%자외광%설붕광전탐측기
设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器.设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0.25和1μm.采用multiple junction termination extension(MJTE)方法减少器件的电流集边效应和器件表面电场.对器件的暗电流、光电流和光谱响应进行了测量.器件在55V的低击穿电压下获得了一个高的增益(＞104);穿通前器件暗电流约为10pA数量级;0V偏压下器件光谱响应的紫外可见比大于103.光谱响应的峰值波长随反向偏压的增大而向短波方向移动,在击穿电压附近光谱响应的峰值波长移到210nm,此波长远远小于在0V时的响应峰值.结果显示器件在紫外光探测中具有优良的性能.
設計和製備瞭吸收層和倍增層分開的4H-SiC穿通型雪崩紫外光電探測器.設計器件的倍增層和吸收層厚度分彆為0.25和1μm.採用multiple junction termination extension(MJTE)方法減少器件的電流集邊效應和器件錶麵電場.對器件的暗電流、光電流和光譜響應進行瞭測量.器件在55V的低擊穿電壓下穫得瞭一箇高的增益(＞104);穿通前器件暗電流約為10pA數量級;0V偏壓下器件光譜響應的紫外可見比大于103.光譜響應的峰值波長隨反嚮偏壓的增大而嚮短波方嚮移動,在擊穿電壓附近光譜響應的峰值波長移到210nm,此波長遠遠小于在0V時的響應峰值.結果顯示器件在紫外光探測中具有優良的性能.
설계화제비료흡수층화배증층분개적4H-SiC천통형설붕자외광전탐측기.설계기건적배증층화흡수층후도분별위0.25화1μm.채용multiple junction termination extension(MJTE)방법감소기건적전류집변효응화기건표면전장.대기건적암전류、광전류화광보향응진행료측량.기건재55V적저격천전압하획득료일개고적증익(＞104);천통전기건암전류약위10pA수량급;0V편압하기건광보향응적자외가견비대우103.광보향응적봉치파장수반향편압적증대이향단파방향이동,재격천전압부근광보향응적봉치파장이도210nm,차파장원원소우재0V시적향응봉치.결과현시기건재자외광탐측중구유우량적성능.
