半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
2期
232-236
,共5页
许晟瑞%郝跃%冯晖%李德昌%张进城
許晟瑞%郝躍%馮暉%李德昌%張進城
허성서%학약%풍휘%리덕창%장진성
LDMOS%RESURF%仿真%击穿电压%电容
LDMOS%RESURF%倣真%擊穿電壓%電容
LDMOS%RESURF%방진%격천전압%전용
研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET(DRTG-LDMOS).讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响,以及DRTG-LDMOS的电容特性.与传统的槽栅器件结构相比,新结构在相同的漂移长度和导通电阻下,击穿电压提高了30V,并表现出优异的频率特性.
研究瞭採用雙RESURF技術的槽柵橫嚮雙擴散MOSFET(DRTG-LDMOS).討論瞭雙RESURF技術對擊穿電壓的影響,以及DRTG-LDMOS的電容特性.與傳統的槽柵器件結構相比,新結構在相同的漂移長度和導通電阻下,擊穿電壓提高瞭30V,併錶現齣優異的頻率特性.
연구료채용쌍RESURF기술적조책횡향쌍확산MOSFET(DRTG-LDMOS).토론료쌍RESURF기술대격천전압적영향,이급DRTG-LDMOS적전용특성.여전통적조책기건결구상비,신결구재상동적표이장도화도통전조하,격천전압제고료30V,병표현출우이적빈솔특성.
