光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
3期
304-307
,共4页
王青%曹玉莲%何国荣%韦欣%渠红伟%宋国峰%陈良惠
王青%曹玉蓮%何國榮%韋訢%渠紅偉%宋國峰%陳良惠
왕청%조옥련%하국영%위흔%거홍위%송국봉%진량혜
InGaAs/GaAsP%应变补偿%垂直腔面发射激光器(VCSEL)
InGaAs/GaAsP%應變補償%垂直腔麵髮射激光器(VCSEL)
InGaAs/GaAsP%응변보상%수직강면발사격광기(VCSEL)
利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响.理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益.按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合.
利用模型固體理論、k.p理論和Pikus-Bir理論,研究瞭InGaAs/GaAsP應變補償量子阱,得齣瞭較為簡單通用的設計方法;進而研究瞭阱寬、InGaAs中In組分和GaAsP中P組分等參數對躍遷波長的影響.理論計算髮現,與InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP應變補償量子阱能提供更深的載流子阱和更大的增益.按照提齣的理論設計方法,研製瞭含InGaAs/GaAsP應變補償量子阱的垂直腔麵髮射激光器(VCSEL),理論計算和實驗結果相吻閤.
이용모형고체이론、k.p이론화Pikus-Bir이론,연구료InGaAs/GaAsP응변보상양자정,득출료교위간단통용적설계방법;진이연구료정관、InGaAs중In조분화GaAsP중P조분등삼수대약천파장적영향.이론계산발현,여InGaAs/GaAs보통양자정상비,InGaAs/GaAsP응변보상양자정능제공경심적재류자정화경대적증익.안조제출적이론설계방법,연제료함InGaAs/GaAsP응변보상양자정적수직강면발사격광기(VCSEL),이론계산화실험결과상문합.
