光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
5期
628-631
,共4页
鲁博%刘技文%刘雅泉%安玉凯%马永昌
魯博%劉技文%劉雅泉%安玉凱%馬永昌
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SiC%纳米纤维%场发射性能
SiC%納米纖維%場髮射性能
SiC%납미섬유%장발사성능
采用阵列碳纳米管作为模板制备出了SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维(以下称SiC纳米纤维),并对其晶体结构、形貌和精细结构使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)进行了表征.比较了SiC纳米纤维和碳纳米管模板的场发射性能,研究了SiC纳米纤维直径的变化对其绝对场增强因子的影响.结果表明:SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维具有特殊的"树状"结构,顶端及"树枝"中分布着大量的SiC纳米晶粒.SiC纳米晶粒以及特殊的分支结构增强了SiC纳米纤维的场发射性能,开启场强低至1.1 V/μm,仅为相同直径碳纳米管模板的1/2.随着SiC纳米纤维直径的减小,绝对场增强因子β0呈明显增大趋势.
採用陣列碳納米管作為模闆製備齣瞭SiC納米晶/非晶複閤納米纖維(以下稱SiC納米纖維),併對其晶體結構、形貌和精細結構使用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和高分辨透射電子顯微鏡(HR-TEM)進行瞭錶徵.比較瞭SiC納米纖維和碳納米管模闆的場髮射性能,研究瞭SiC納米纖維直徑的變化對其絕對場增彊因子的影響.結果錶明:SiC納米晶/非晶複閤納米纖維具有特殊的"樹狀"結構,頂耑及"樹枝"中分佈著大量的SiC納米晶粒.SiC納米晶粒以及特殊的分支結構增彊瞭SiC納米纖維的場髮射性能,開啟場彊低至1.1 V/μm,僅為相同直徑碳納米管模闆的1/2.隨著SiC納米纖維直徑的減小,絕對場增彊因子β0呈明顯增大趨勢.
채용진렬탄납미관작위모판제비출료SiC납미정/비정복합납미섬유(이하칭SiC납미섬유),병대기정체결구、형모화정세결구사용X사선연사의(XRD)、소묘전자현미경(SEM)화고분변투사전자현미경(HR-TEM)진행료표정.비교료SiC납미섬유화탄납미관모판적장발사성능,연구료SiC납미섬유직경적변화대기절대장증강인자적영향.결과표명:SiC납미정/비정복합납미섬유구유특수적"수상"결구,정단급"수지"중분포착대량적SiC납미정립.SiC납미정립이급특수적분지결구증강료SiC납미섬유적장발사성능,개계장강저지1.1 V/μm,부위상동직경탄납미관모판적1/2.수착SiC납미섬유직경적감소,절대장증강인자β0정명현증대추세.
