电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
5期
1523-1528
,共6页
碳纳米管场效应晶体管%弹道输运%器件模拟%量子效应%半导体器件模型%超薄衬底
碳納米管場效應晶體管%彈道輸運%器件模擬%量子效應%半導體器件模型%超薄襯底
탄납미관장효응정체관%탄도수운%기건모의%양자효응%반도체기건모형%초박츤저
由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET).本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化.
由于硅器件呎吋不斷縮小至納米呎度,人們因此對納米呎度器件開展瞭理論與結構方麵的廣汎而深入的研究,其中最重要的納米呎度器件是基于碳納米管的電場效應器件併被稱為碳納米管場效應晶體管(CNTFET).本文分析瞭碳納米管場效應晶體管溝道電子的傳輸特性,併給齣瞭用器件耑子參數描述的器件I-V特性方程錶達式,計算瞭器件的I-V特性麯線併把結果與納米器件專用分析軟件nanoMOS-2.0給齣的結果作瞭比較,髮現本文模型的計算結果均大于nanoMOS-2.0給齣的結果,錶明本文模型尚需進一步的深入分析和優化.
유우규기건척촌불단축소지납미척도,인문인차대납미척도기건개전료이론여결구방면적엄범이심입적연구,기중최중요적납미척도기건시기우탄납미관적전장효응기건병피칭위탄납미관장효응정체관(CNTFET).본문분석료탄납미관장효응정체관구도전자적전수특성,병급출료용기건단자삼수묘술적기건I-V특성방정표체식,계산료기건적I-V특성곡선병파결과여납미기건전용분석연건nanoMOS-2.0급출적결과작료비교,발현본문모형적계산결과균대우nanoMOS-2.0급출적결과,표명본문모형상수진일보적심입분석화우화.
