北京邮电大学学报
北京郵電大學學報
북경유전대학학보
JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS
2010年
6期
84-87
,共4页
应变补偿%量子点%垂直腔面发射激光器
應變補償%量子點%垂直腔麵髮射激光器
응변보상%양자점%수직강면발사격광기
从理论角度定量地研究了量子点垂直腔表面发射激光器(QD-VCSELs)中GaNAs应变补偿层对InAs/GaAs量子点阵列生长质量的改善作用,得出了不同补偿浓度和补偿位置对补偿效果影响的规律,得到了确定最佳补偿参数的途径.为长波长(1.2～1.6μm)QD-VCSELs中量子点有源区的制备提供了理论指导.
從理論角度定量地研究瞭量子點垂直腔錶麵髮射激光器(QD-VCSELs)中GaNAs應變補償層對InAs/GaAs量子點陣列生長質量的改善作用,得齣瞭不同補償濃度和補償位置對補償效果影響的規律,得到瞭確定最佳補償參數的途徑.為長波長(1.2～1.6μm)QD-VCSELs中量子點有源區的製備提供瞭理論指導.
종이론각도정량지연구료양자점수직강표면발사격광기(QD-VCSELs)중GaNAs응변보상층대InAs/GaAs양자점진렬생장질량적개선작용,득출료불동보상농도화보상위치대보상효과영향적규률,득도료학정최가보상삼수적도경.위장파장(1.2～1.6μm)QD-VCSELs중양자점유원구적제비제공료이론지도.
