固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
4期
559-563
,共5页
总剂量辐射%硅微波功率%双极型晶体管%横向扩散金属-氧化物-半导体场效应管%垂直扩散金属-氧化物-半导体场效应管%抗辐射加固
總劑量輻射%硅微波功率%雙極型晶體管%橫嚮擴散金屬-氧化物-半導體場效應管%垂直擴散金屬-氧化物-半導體場效應管%抗輻射加固
총제량복사%규미파공솔%쌍겁형정체관%횡향확산금속-양화물-반도체장효응관%수직확산금속-양화물-반도체장효응관%항복사가고
对比研究了总剂量辐射对硅微波功率双极器件、LDMOS器件、VDMOS器件以及常规功率VDMOS和抗辐射加固功率VDMOS器件电性能的影响,并分析了辐射后器件性能变化的原因,为抗辐射加固方法的改进和优化提供了基础.
對比研究瞭總劑量輻射對硅微波功率雙極器件、LDMOS器件、VDMOS器件以及常規功率VDMOS和抗輻射加固功率VDMOS器件電性能的影響,併分析瞭輻射後器件性能變化的原因,為抗輻射加固方法的改進和優化提供瞭基礎.
대비연구료총제량복사대규미파공솔쌍겁기건、LDMOS기건、VDMOS기건이급상규공솔VDMOS화항복사가고공솔VDMOS기건전성능적영향,병분석료복사후기건성능변화적원인,위항복사가고방법적개진화우화제공료기출.
