电子质量
電子質量
전자질량
ELECTRONICS QUALITY
2011年
2期
14-16
,共3页
单粒子翻转%线能量传输%阱内碰撞%阱外碰撞
單粒子翻轉%線能量傳輸%阱內踫撞%阱外踫撞
단입자번전%선능량전수%정내팽당%정외팽당
使用软件模拟的方法对NMOS和PMOS的单粒子翻转(SEU)特性进行份真,通过在阱内外碰撞的两种情况下对小尺寸NMOS和PMOS的SEU敏感性进行对比可知,对于深亚微米阶段相同工艺的器件,在阱外碰撞时,NMOS一定比PMOS对SEU敏感;但对于阱内碰撞,NMOS和PMOS对SEU的敏感性要视具体情况而定.
使用軟件模擬的方法對NMOS和PMOS的單粒子翻轉(SEU)特性進行份真,通過在阱內外踫撞的兩種情況下對小呎吋NMOS和PMOS的SEU敏感性進行對比可知,對于深亞微米階段相同工藝的器件,在阱外踫撞時,NMOS一定比PMOS對SEU敏感;但對于阱內踫撞,NMOS和PMOS對SEU的敏感性要視具體情況而定.
사용연건모의적방법대NMOS화PMOS적단입자번전(SEU)특성진행빈진,통과재정내외팽당적량충정황하대소척촌NMOS화PMOS적SEU민감성진행대비가지,대우심아미미계단상동공예적기건,재정외팽당시,NMOS일정비PMOS대SEU민감;단대우정내팽당,NMOS화PMOS대SEU적민감성요시구체정황이정.
