微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
3期
150-154,193
,共6页
申艳芬%林兆军%李惠军%张明华%魏晓坷%刘岩
申豔芬%林兆軍%李惠軍%張明華%魏曉坷%劉巖
신염분%림조군%리혜군%장명화%위효가%류암
AlGaN/GaN%高电子迁移率晶体管(HEMT)%二维电子气(2DEG)%极化效应%器件模型
AlGaN/GaN%高電子遷移率晶體管(HEMT)%二維電子氣(2DEG)%極化效應%器件模型
AlGaN/GaN%고전자천이솔정체관(HEMT)%이유전자기(2DEG)%겁화효응%기건모형
完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作.使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性等性能的模拟.建立该器件的极化效应模型是本项研究的重点.完成了对异质结条件下诸多模型参数的筛选及修正,得到了符合理论的模拟结果.器件特性的验证与优化基于势垒层厚度h的变化展开,研究结果显示:漏极电流随h值的增加而增加,当h值超过40 nm时,因二维电子气浓度上升缓慢而使漏极电流趋于饱和;跨导随h值的减小而增大,h每降低10 nm,跨导约增大37 mS/mm;势垒层厚度对高频特性的影响较小.
完成瞭對AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)的結構設計及器件物理特性的驗證等工作.使用TCAD軟件完成瞭該器件直流特性及微波特性等性能的模擬.建立該器件的極化效應模型是本項研究的重點.完成瞭對異質結條件下諸多模型參數的篩選及脩正,得到瞭符閤理論的模擬結果.器件特性的驗證與優化基于勢壘層厚度h的變化展開,研究結果顯示:漏極電流隨h值的增加而增加,噹h值超過40 nm時,因二維電子氣濃度上升緩慢而使漏極電流趨于飽和;跨導隨h值的減小而增大,h每降低10 nm,跨導約增大37 mS/mm;勢壘層厚度對高頻特性的影響較小.
완성료대AlGaN/GaN고전자천이솔정체관(HEMT)적결구설계급기건물리특성적험증등공작.사용TCAD연건완성료해기건직류특성급미파특성등성능적모의.건립해기건적겁화효응모형시본항연구적중점.완성료대이질결조건하제다모형삼수적사선급수정,득도료부합이론적모의결과.기건특성적험증여우화기우세루층후도h적변화전개,연구결과현시:루겁전류수h치적증가이증가,당h치초과40 nm시,인이유전자기농도상승완만이사루겁전류추우포화;과도수h치적감소이증대,h매강저10 nm,과도약증대37 mS/mm;세루층후도대고빈특성적영향교소.
