微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
3期
377-380
,共4页
何峥嵘%向飞%谭开洲%肖伟
何崢嶸%嚮飛%譚開洲%肖偉
하쟁영%향비%담개주%초위
SiGe%ECL%环形振荡器%反相器
SiGe%ECL%環形振盪器%反相器
SiGe%ECL%배형진탕기%반상기
介绍了一种基于SiGe平面集成电路工艺制作的ECL环形振荡器,采用15级反相器闭环结构,能够产生280 MHz高频振荡信号,振荡周期为3.58 ns,平均每级反相器延迟为119 PS.该电路结构简单、易集成、成本低,可广泛移植于各类片上系统,用作时钟信号源等.
介紹瞭一種基于SiGe平麵集成電路工藝製作的ECL環形振盪器,採用15級反相器閉環結構,能夠產生280 MHz高頻振盪信號,振盪週期為3.58 ns,平均每級反相器延遲為119 PS.該電路結構簡單、易集成、成本低,可廣汎移植于各類片上繫統,用作時鐘信號源等.
개소료일충기우SiGe평면집성전로공예제작적ECL배형진탕기,채용15급반상기폐배결구,능구산생280 MHz고빈진탕신호,진탕주기위3.58 ns,평균매급반상기연지위119 PS.해전로결구간단、역집성、성본저,가엄범이식우각류편상계통,용작시종신호원등.
