发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2011年
8期
789-792
,共4页
李辉%何涛%戴隆贵%王小丽%王文新%陈弘
李輝%何濤%戴隆貴%王小麗%王文新%陳弘
리휘%하도%대륭귀%왕소려%왕문신%진홍
气源分子束外延%锗硅量子点%激子%光致荧光%热猝灭
氣源分子束外延%鍺硅量子點%激子%光緻熒光%熱猝滅
기원분자속외연%타규양자점%격자%광치형광%열졸멸
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品.利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质.气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度.200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV.升温至200 K,载流子的输运过程发生变化.对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV.
利用氣源分子束外延技術(MBE)製作瞭GeSi自組裝量子點樣品.利用原子力顯微鏡(AFM)和光緻熒光(PL)光譜研究瞭該量子點的形貌和光學性質.氣源MBE在較低溫度下生長的量子點材料具有較高的量子點覆蓋度.200K以下載流子以跼域激子形式束縳在量子點中,激子束縳能約為17 meV.升溫至200 K,載流子的輸運過程髮生變化.對量子點PL積分彊度與溫度關繫麯線進行擬閤得到量子點中空穴躍遷至浸潤層的熱激活能為129 meV.
이용기원분자속외연기술(MBE)제작료GeSi자조장양자점양품.이용원자력현미경(AFM)화광치형광(PL)광보연구료해양자점적형모화광학성질.기원MBE재교저온도하생장적양자점재료구유교고적양자점복개도.200K이하재류자이국역격자형식속박재양자점중,격자속박능약위17 meV.승온지200 K,재류자적수운과정발생변화.대양자점PL적분강도여온도관계곡선진행의합득도양자점중공혈약천지침윤층적열격활능위129 meV.
