发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
8期
803-807
,共5页
赵波%苏子生%晋芳铭%闫兴武%初蓓%李文连
趙波%囌子生%晉芳銘%閆興武%初蓓%李文連
조파%소자생%진방명%염흥무%초배%리문련
量子阱%磷光%Ir(piq)2(acac)%有机电致发光器件
量子阱%燐光%Ir(piq)2(acac)%有機電緻髮光器件
양자정%린광%Ir(piq)2(acac)%유궤전치발광기건
采用多重量子阱结构制作了高效红色磷光有机电致发光器件.以4,4′-bis (N-carbazolyl)-1,10-biphenyl (CBP)掺杂bis(1 -phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato) iridium(Ⅲ)(Ir(piq)2 (acac))为发光层,4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,10-biphenyl (Bphen)为电荷控制层,形成了Ⅱ型双量子阱结构,器件的最大亮度为15000 cd/m2,最大电流效率为7.4 cd/A,相对于参考器件提高了21％.研究结果表明:以Bphen为电荷控制层形成的Ⅱ型多重量子阱结构能有效地将载流子和激子限制在势阱中,并且使空穴和电子的注入更加平衡,从而提高了载流子复合的几率和器件的效率.
採用多重量子阱結構製作瞭高效紅色燐光有機電緻髮光器件.以4,4′-bis (N-carbazolyl)-1,10-biphenyl (CBP)摻雜bis(1 -phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato) iridium(Ⅲ)(Ir(piq)2 (acac))為髮光層,4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,10-biphenyl (Bphen)為電荷控製層,形成瞭Ⅱ型雙量子阱結構,器件的最大亮度為15000 cd/m2,最大電流效率為7.4 cd/A,相對于參攷器件提高瞭21％.研究結果錶明:以Bphen為電荷控製層形成的Ⅱ型多重量子阱結構能有效地將載流子和激子限製在勢阱中,併且使空穴和電子的註入更加平衡,從而提高瞭載流子複閤的幾率和器件的效率.
채용다중양자정결구제작료고효홍색린광유궤전치발광기건.이4,4′-bis (N-carbazolyl)-1,10-biphenyl (CBP)참잡bis(1 -phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato) iridium(Ⅲ)(Ir(piq)2 (acac))위발광층,4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,10-biphenyl (Bphen)위전하공제층,형성료Ⅱ형쌍양자정결구,기건적최대량도위15000 cd/m2,최대전류효솔위7.4 cd/A,상대우삼고기건제고료21％.연구결과표명:이Bphen위전하공제층형성적Ⅱ형다중양자정결구능유효지장재류자화격자한제재세정중,병차사공혈화전자적주입경가평형,종이제고료재류자복합적궤솔화기건적효솔.
