半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
4期
445-448
,共4页
卜俊鹏%郑红军%赵冀%朱蓉辉%尹玉华
蔔俊鵬%鄭紅軍%趙冀%硃蓉輝%尹玉華
복준붕%정홍군%조기%주용휘%윤옥화
GaAs%抛光%亚表面损伤层
GaAs%拋光%亞錶麵損傷層
GaAs%포광%아표면손상층
在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验,并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度.研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了GaAs抛光晶片的亚表面损伤层深度,并分析和讨论了其原因.
在不同彈性拋光佈、不同氧化濃度、不同pH值的拋光液等條件下進行瞭化學機械拋光試驗,併用TEM測量瞭晶片亞錶麵損傷層厚度.研究髮現拋光佈的彈性及拋光液的氧化和化學去除能力決定瞭GaAs拋光晶片的亞錶麵損傷層深度,併分析和討論瞭其原因.
재불동탄성포광포、불동양화농도、불동pH치적포광액등조건하진행료화학궤계포광시험,병용TEM측량료정편아표면손상층후도.연구발현포광포적탄성급포광액적양화화화학거제능력결정료GaAs포광정편적아표면손상층심도,병분석화토론료기원인.
